記憶體晶片已經到了瘋狂的地步：三星和 SK 海力士對 26Q1 伺服器級 DRAM 漲價 60%~70%，並且拒簽各種長期供應協議。伺服器記憶體漲價與 AI 有直接關係，三星等將主要產能分配給 HBM 系列內存，這些內存用於 AI 加速器，這導致伺服器和智慧型手機等內存產能被壓縮，於是三星和 SK 海力士透過瘋狂漲價追求利潤。
根據韓國經濟 (Hankyung) 發布的消息，隨著人工智慧基礎設施建設進入白熱化階段，全球記憶體晶片巨頭三星電子和 SK 海力士準備繼續提高記憶體晶片價格。
報告稱三星電子與 SK 海力士已經向客戶發出報價調整通知，計劃將 2026Q1 伺服器級 DRAM 晶片合約價格上調 60%~70%，而且這兩家公司都不願意與客戶簽訂任何長期供應合約。
如此激進的調價動作核心邏輯主要是產能被 HBM 系列晶片極限壓榨，為了滿足英偉達以及谷歌 AI 加速器對 HBM 系列內存晶片的需求，三星和 SK 海力士已經將 30%~40% 的晶圓產能分配給 HBM 內存。
由於 HBM 記憶體佔用大量先進工藝，這導致傳統的伺服器 DDR5 以及 PC、智慧型手機以及其他通用的 DRAM 晶片產能被嚴重壓縮，市場調查機構集邦諮詢發布的報告稱，目前伺服器 DRAM 缺口已經超過 30%。
此次調價影響範圍也非常大：
伺服器 DRAM 漲價 60%~70%，這是本輪漲價的重災區，雲端運算巨頭為了確保 AI 基礎設施能夠領先競爭對手，目前正在不計成本地搶貨。
HBM3E 和 HBM4 高頻寬記憶體晶片，這部分晶片本身價格就非常高，但即便如此也在 2026Q1 漲價 20% 並且同樣供不應求。
消費性電子產品價格將連動上漲，受 DRAM 晶片缺貨和產能影響，目前消費級記憶體條、智慧型手機和 AI PC 的售價可能會上漲 10%~20%。
價格戰轉向利潤為先：
此輪人工智慧熱潮帶來的 DRAM 供應問題也讓儲存廠商從過去的價格戰爭奪份額變成現在的利潤優先，即無論是哪家廠商現在都不需要再進行價格戰，只要能保證供應，便不愁溢價空間。
所以三星電子和 SK 海力士近期都拒絕簽訂多項長期的低價供應協議，轉而追求短期季度定價以獲取更高利潤，長期供應協議其實也非低價，而是鎖定當前價格，存儲廠商未來無法按照市場情況繼續漲價，這也是拒簽長期供應協議的主要原因。
對於消費級市場而言，今年可能有不少入門級智慧型手機也會重新採用 4GB~6GB 內存，過去幾年安卓智慧型手機普遍都開始朝著 8GB、12GB 內存過渡，而現在這種過渡趨勢已經被打斷。
可以預見的是今年新推出的智慧型手機價格也會跟著漲價，畢竟對 OEM 來說內存成本肯定要轉嫁給最終消費者的，這也是市場調查機構認為今年智慧型手機出貨量增幅有限甚至下降的原因。
