上月末，台積電（TSMC）在官網的2nm技術頁面上確認，2nm製程已如期量產，採用第一代納米片（Nanosheet）電晶體技術，提供全製程節點的效能及功耗進步。相較於N3E工藝，N2在相同功率下實現10%至15%的性能提升，在相同性能下功率降低25%至30%，電晶體密度提升了15%，適用於包括邏輯、模擬和SRAM的混合設計。對於純邏輯設計，N2的電晶體密度比N3E高出了20%。
根據Wccftech通報，由於市場對2nm的超高需求，使得台積電將下一代半導體製造製程的產量提升到新的高度。最新報告顯示，今年末2nm製程的月產量將提升至14萬晶圓，高於先前10萬片的目標。也就是說，量產僅一年時間，2nm就已經接近3nm的極限水準（2025年末月產量16萬片晶圓）。
根據先前的說法，位於中國台灣的寶山（Fab 20）和高雄（Fab 22）是台積電2nm首發晶圓廠，2026年這兩座晶圓廠的所有2nm產能都已經被預訂，其中蘋果佔據了超過一半的初始產能。目前先行量產的是Fab 22，預計Fab 20稍後也會跟上。
台積電在2nm製程節點的動作非常迅速，預計到2026年第三季度，2nm的收益將超過3nm和5nm總和。
