去年SK海力士推出了以AI為導向的超高性能DRAM新產品12層HBM4，並且全球首次向主要客戶提供了其樣品。 SK海力士沿襲了在HBM3E上的Advanced MR-MUF工藝，從而在現有12層堆疊HBM4達到了最大36GB容量。相較之下，競爭對手三星和美光已開始改用TC NCF技術。
根據TrendForce通報，SK海力士經過評估後，打算在16層堆疊HBM4上繼續使用MR-MUF工藝，而不是像過去傳言那樣啟用TC NCF技術。傳聞SK海力士在去年第四季啟動了對TC NCF技術的全面評估，目標是應用到量產工作，然而並沒有達到預期的效果。
SK海力士的MR-RUF技術是將半導體晶片附著在電路上，使用EMC（液態環氧樹脂模塑膠）填充晶片之間或晶片與凸塊之間的間隙。 TC NCF製程需要高溫高壓將材料固化再熔化，然後進行清洗。這個過程涉及2-3個步驟，而MR-RUF技術可以在不需要清洗的情況下完成整個過程。過去SK海力士曾表示，MR-RUF的導熱係數大約是TC NCF的兩倍，對生產速度和產量有明顯影響。事實上，過去兩年SK海力士在HBM市場的策略非常成功。
TC NCF製程也有自身的優勢，可以將DRAM垂直堆疊變得更緊密，並降低HBM的高度。不過隨著去年JEDEC固態儲存協會放寬了HBM4在高度方面的要求，也就是最高的720微米的限制，將12層及16層垂直堆疊的HBM4高度放寬至775微米，讓SK海力士有條件在現有鍵合技術中實現16層堆疊，無需轉向新的混合鍵合技術。
