在今年初舉行的投資者日活動上，閃迪介紹了HBF技術，這是其經過頻寬優化的NAND產品。閃迪還成立了技術顧問委員會，以指導HBF技術的開發和策略。隨後閃迪與SK海力士決定共同製定HBF標準化規範，探索創建高頻寬快閃記憶體技術生態系統。此外，三星也開始對自己的HBF產品進行早期概念設計工作。
根據TrendForce報道，近日在一場論壇研討會上，有著「HBM之父」之稱的韓國科學技術院（KAIST）教授金正浩表示，三星和閃迪計劃在2027年末至2028年初將HBF集成到英偉達、AMD和谷歌的產品中。雖然HBM花了十多年的時間開發，但是HBF比起來要短得多，因為後者利用了前者過去積累的流程和設計專業知識，使得HBF有望更快實現商業化。
金正浩預計，HBF將在HBM6推出時獲得更廣泛的採用，暗示HBF在2038年前市場規模可能會超過HBM。另外HBM6不會由單一DRAM堆疊組成，而是多個堆疊相互連接。隨著DRAM堆疊面臨容量限制，金正浩相信採用NAND快閃記憶體堆疊的 HBF 將會出現以填補這一空白。
目前GPU在推理過程中先從HBM取得變數數據，處理後再產生輸出。金正浩認為未來將由HBF承擔這一角色，提供更大的容量來支持該任務。雖然HBM更快，但是HBF容量更大，大約是其10倍。雖然HBF支援無限次讀取週期，但寫入周期受限於約10萬次，因此需要OpenAI或Google等公司的軟體針對性進行最佳化工作。
此外，目前將資料傳輸至GPU的過程需要經過儲存網路、資料處理器和GPU管道等環節，並且有較長的傳輸路徑。這種結構預計隨著HBM7出現而改變，已經有專業人員稱其為「內存工廠」。
