人們發現了一種無需改變製程技術即可壓縮晶片的新方法

三星電子的研究團隊與美國多所科技大學合作，找到了一種提高單晶片電晶體密度的新方法。科學家們開發了一種方法，可以在現有晶片上增加一層積體電路。

在製造 CMOS 晶片時，將幾層材料依序沉積到矽晶片上：電晶體本身，然後是用於供電和形成邏輯單元的各種金屬和絕緣體。

電晶體層的層數通常是有限的－任何額外的層數都會對製造過程中使用的溫度極為敏感。因此，標準的「複製」電晶體層的方法會在施加新層時直接破壞底層。

理論上，一種新的科學方法可以解決這個問題。科學家使用一層厚度僅為2奈米的超薄非晶氧化銦層來絕緣額外的電晶體。這種材料所需的加工溫度遠低於傳統方法，從而避免了對先前晶體管層的熱損傷。

因此，研究人員成功提高了晶片的電晶體密度。此方案可望顯著提高電晶體密度，從而在不採用新製程的情況下提升晶片的運算能力。然而，這項技術仍需進一步完善，尚未達到商業應用階段。